Hersteller Produktnummer:
BSD214SN L6327
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSD214SN L6327-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventar:
12829220
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BSD214SN L6327 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 3.7µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
143 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT363-PO
Paket / Koffer
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BSD214SN L6327INDKR-DG
BSD214SNL6327INDKR
BSD214SN L6327-DG
BSD214SNL6327
BSD214SNL6327HTSA1
BSD214SNL6327INCT
BSD214SN L6327INTR-DG
BSD214SN L6327INDKR
SP000440882
BSD214SN L6327INCT-DG
BSD214SN L6327INTR
BSD214SN L6327INCT
BSD214SNL6327INTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSD214SNH6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
5980
TEILNUMMER
BSD214SNH6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.07
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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